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作为与硅器件的粗略“数量级”比较，依据SiC的MOSFET器件隔绝工作标准电压是前边一种的10倍，电源总开关速度约是其10倍，25℃时的导通电阻仅有其一半或更小。此外，工作温度蕞大做到200℃（硅器件为125℃），因而使热设计和热管理方案获得简单。

SiC电源总开关器件输出功率处理***能力的一个实例是ROHMSemiconductor的SCT3105KRC14，1200V、24A的N横断面SiC输出功率MOSFET，***(on)典型值为105mΩ。该器件具有的导热系数特性，相对于释放出来的脉冲宽度能够迅速保证蕞高值，输出功率水平较低时，一种做法是选择结合了转化器可调稳压电源与相关输出功率电源总开关器件的IC。该做法的优势在于可调稳压电源与功率器件的互连有益于提高电路，而在所难免的内寄生效应特性也在使用说明中有一定的描述。

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1.电磁干扰的造成与传送

电磁干扰传送有二种方法：一种是传输传输技术，另一种则是辐射源传输技术。传输传送是在干扰源和比较敏感机器设备中间有详细的电源电路联接，干扰数据信号顺着联接电源电路传送到信号而产生电磁干扰状况。

辐射源传送是干扰数据信号根据物质以无线电波的方式向外散播的干扰方式。

辐射源耦合是干扰耦合的另一种方法，除开从干扰源传出的有心辐射源外，也有很多的不经意辐射源。另外，PCB板上的布线不论是电源插头、电源线、数字时钟线、手机充电线或是控线等，都能具有无线天线的实际效果，就可以辐射源出干扰波，又可具有接受***。

●屏蔽：电流的磁效应屏蔽按基本概念可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽三种。电场屏蔽包含放电屏蔽和交变电场屏蔽；磁场屏蔽包含低頻磁场屏蔽和高频磁场屏蔽。不一样类型的电流的磁效应屏蔽对屏蔽体的要求不一样。在实际的屏蔽中，电流的磁效应屏蔽更各个方面上在于屏蔽体的结构，即导电率的延续性。实际的屏蔽体由于生产加工、安裝、维修、散热、观察及插孔连接要求，其上面一般都开过形状各异、规格型号不一样的孔缝，这类孔缝对于屏蔽体的屏蔽起着重要的伤害作用，因此尽量采用一定的合理对策来***孔缝的电流的磁效应泄漏。